中清航科開放6條全自動切割產(chǎn)線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區(qū)，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數(shù)組合?？蛻糨斎刖A類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數(shù)包，工藝開發(fā)周期縮短90%。
中清航科聯(lián)合高校成立切割技術研究院，突破納米級切割瓶頸。鎮(zhèn)江碳化硅線晶圓切割劃片廠

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案：先以激光在晶圓表面形成引導槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率，解決化合物半導體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯(lián)動補償系統(tǒng)，通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內，支持3D NAND多層堆疊結構加工。浙江碳化硅陶瓷晶圓切割代工廠中清航科推出切割機租賃服務，降低客戶初期投入成本。

對于高價值的晶圓產(chǎn)品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設備內置二維碼追溯系統(tǒng)，每片晶圓進入設備后都會生成單獨的二維碼標識，全程記錄切割時間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測結果等信息，可通過掃碼快速查詢全流程數(shù)據(jù)，為質量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制，開發(fā)出激光倒角技術。可在切割的同時完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在 5-50μm 范圍內，有效減少邊緣應力集中，提高晶圓的機械強度。該技術特別適用于需要多次搬運與清洗的晶圓加工流程。

在晶圓切割的邊緣檢測精度提升上，中清航科創(chuàng)新采用雙攝像頭立體視覺技術。通過兩個高分辨率工業(yè)相機從不同角度采集晶圓邊緣圖像，經(jīng)三維重建算法精確計算邊緣位置，即使晶圓存在微小翹曲，也能確保切割路徑的精確定位，邊緣檢測誤差控制在 1μm 以內，大幅提升切割良率。為適應半導體工廠的能源管理需求，中清航科的切割設備配備能源監(jiān)控與分析系統(tǒng)。實時監(jiān)測設備的電壓、電流、功率等能源參數(shù)，生成能耗分析報表，識別能源浪費點并提供優(yōu)化建議。同時支持峰谷用電策略，可根據(jù)工廠電價時段自動調整運行計劃，降低能源支出。中清航科全自動切割線配備AI視覺定位，精度達±1.5μm。

中清航科兆聲波清洗技術結合納米氣泡噴淋，去除切割道深槽內的微顆粒。流體仿真設計使清洗液均勻覆蓋15:1深寬比結構，殘留物<5ppb，電鏡檢測達標率**。中清航科推出刀片/激光器租賃服務：通過云平臺監(jiān)控耗材使用狀態(tài)，按實際切割長度計費?？蛻鬋APEX（資本支出）降低40%，并享受技術升級，實現(xiàn)輕資產(chǎn)運營。中清航科VirtualCut軟件構建切割過程3D物理模型，輸入材料參數(shù)即可預測崩邊尺寸、應力分布。虛擬調試功能將新工藝驗證周期從3周壓縮至72小時，加速客戶產(chǎn)品上市。中清航科綠色切割方案：冷卻液循環(huán)利用率達95%，激光系統(tǒng)能耗降低30%（對比行業(yè)均值）。碳足跡追蹤平臺量化每片晶圓加工排放，助力客戶達成ESG目標，已獲ISO 14064認證。中清航科切割實驗室開放合作，已助力30家企業(yè)工藝升級。江蘇芯片晶圓切割代工廠

中清航科切割液回收系統(tǒng)降低耗材成本35%，符合綠色制造。鎮(zhèn)江碳化硅線晶圓切割劃片廠

在晶圓切割的質量檢測方面，中清航科引入了三維形貌檢測技術。通過高分辨率 confocal 顯微鏡對切割面進行三維掃描，生成精確的表面粗糙度與輪廓數(shù)據(jù)，粗糙度測量精度可達 0.1nm，為工藝優(yōu)化提供量化依據(jù)。該檢測結果可直接與客戶的質量系統(tǒng)對接，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的無縫流轉。針對晶圓切割過程中的熱變形問題，中清航科開發(fā)了恒溫控制切割艙。通過高精度溫度傳感器與 PID 溫控系統(tǒng)，將切割艙內的溫度波動控制在 ±0.1℃以內，同時采用熱誤差補償算法，實時修正溫度變化引起的機械變形，確保在不同環(huán)境溫度下的切割精度穩(wěn)定一致。鎮(zhèn)江碳化硅線晶圓切割劃片廠