2025-07-29 07:25:33
Polos光刻機(jī)與德國Lab14集團(tuán)、弗勞恩霍夫研究所等機(jī)構(gòu)合作,推動(dòng)光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如,Quantum X align系統(tǒng)的高對(duì)準(zhǔn)精度(100 nm)為光通信芯片提供可靠解決方案,彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢(shì)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。技術(shù)Benchmark:Polos-?Printer 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品,推動(dòng)無掩模光刻技術(shù)普及。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米
某能源研究團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極,器件的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá) 35%,在 10Hz 振動(dòng)下可輸出 50μW/cm? 的功率。通過自定義電極間距和厚度,該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動(dòng),在智能穿戴設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了運(yùn)動(dòng)能量的實(shí)時(shí)采集與存儲(chǔ)。其輕量化設(shè)計(jì)(體積 < 1mm?)還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn),使傳感器續(xù)航時(shí)間從 3 個(gè)月延長(zhǎng)至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。上海桌面無掩模光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米跨學(xué)科應(yīng)用:覆蓋微機(jī)械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。
某分析化學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極,傳感器的檢測(cè)限達(dá) 1nM,較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案,可在 24 小時(shí)內(nèi)完成從葡萄糖檢測(cè)到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時(shí)檢測(cè)(POCT)設(shè)備,使現(xiàn)場(chǎng)水質(zhì)監(jiān)測(cè)時(shí)間從 2 小時(shí)縮短至 10 分鐘,相關(guān)設(shè)備已通過歐盟 CE 認(rèn)證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。
Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 ?m直徑的開環(huán)諧振器和2 ?m叉指電極,適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)(如Nanoscribe系統(tǒng)),用戶還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印,為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。亞微米級(jí)精度:0.8 ?mmost小線寬,支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。
在微流控芯片集成領(lǐng)域,某微機(jī)電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù),在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動(dòng)的氣動(dòng)泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm,流量調(diào)節(jié)精度達(dá) ±1%,響應(yīng)時(shí)間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案,可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細(xì)胞代謝分析,實(shí)現(xiàn)了單個(gè)tumor細(xì)胞葡萄糖攝取率的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),檢測(cè)靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍,相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入臨床前驗(yàn)證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM XL:130mm×130mm 曝光幅面,STL 模型直接導(dǎo)入,微流控芯片制備周期縮短 40%。上海桌面無掩模光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米
Polos-BESM XL:加大加工幅面,滿足中尺寸器件一次性成型需求。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米
在航空航天科研中,某科研團(tuán)隊(duì)致力于研發(fā)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)和偵察的微型飛行器。其中,制造輕量化且高性能的微機(jī)械部件是關(guān)鍵。德國 Polos 光刻機(jī)憑借無掩模激光光刻技術(shù),助力團(tuán)隊(duì)制造出尺寸precise、質(zhì)量輕盈的微型齒輪、機(jī)翼骨架等微機(jī)械結(jié)構(gòu)。例如,利用該光刻機(jī)制造的微型齒輪,齒距精度達(dá)到納米級(jí)別,極大提高了飛行器動(dòng)力傳輸系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性?;诖耍蒲袌F(tuán)隊(duì)成功試飛了一款新型微型飛行器,其續(xù)航時(shí)間和飛行靈活性遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品,為未來微型飛行器在復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米