某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm?/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì)：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性突出。湖北PSP光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統(tǒng)工藝需多次掩模對(duì)準(zhǔn)，良率only 30%。Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù)，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用該特性，開發(fā)出可實(shí)時(shí)切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴(kuò)增到蛋白質(zhì)檢測(cè)的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備，使現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)系統(tǒng)的體積縮小 60%，檢測(cè)時(shí)間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。黑龍江光刻機(jī)無掩模激光直寫技術(shù)：無需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時(shí)間。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術(shù)，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時(shí)間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 ?m）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實(shí)驗(yàn)室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

德國 Polos 光刻機(jī)系列以其緊湊的設(shè)計(jì)，在有限的空間內(nèi)發(fā)揮著巨大作用。對(duì)于研究實(shí)驗(yàn)室，尤其是空間資源緊張的高校和初創(chuàng)科研機(jī)構(gòu)來說，設(shè)備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機(jī)占用空間小的特點(diǎn)，使其能夠輕松融入各類實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。? 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術(shù)保障了高精度的圖案制作，低成本的優(yōu)勢(shì)降低了科研投入門檻。在小型實(shí)驗(yàn)室中，科研人員使用 Polos 光刻機(jī)，在微流體、電子學(xué)等領(lǐng)域開展研究，成功取得多項(xiàng)成果。從微納結(jié)構(gòu)制造到新型器件研發(fā)，Polos 光刻機(jī)證明了小空間也能蘊(yùn)藏大能量，為科研創(chuàng)新提供有力支持。Polos-BESM 光刻機(jī)：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)。

Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生，同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)（如固態(tài)激光光源）符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如，其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%，助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì)：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設(shè)計(jì)實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。北京德國PSP-POLOS光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。湖北PSP光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

Polos光刻機(jī)與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合，可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布，減少材料蒸發(fā)和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級(jí)微納制造（如光學(xué)元件封裝）提供新思路，推動(dòng)智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優(yōu)化曝光參數(shù)（如能量密度與聚焦深度）實(shí)現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如，使用AZ5214E時(shí)，可調(diào)節(jié)光束強(qiáng)度以減少側(cè)壁粗糙度，提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現(xiàn)outstanding26。湖北PSP光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模