碳化硅材料特性

高擊穿電場:碳化硅的禁帶寬度約為硅基材料的3倍，臨界擊穿場強約為硅基材料的10倍，這意味著碳化硅器件能夠在更高電壓下穩(wěn)定工作，可承受更高電壓，這使得碳化硅MOSFET模塊在高壓應用中具有更好的耐壓性能和可靠性，如在智能電網、電動汽車等領域。

高熱導率:碳化硅的熱導率約是硅基材料的3倍，能快速散熱，確保器件工作時不會因過熱而性能下降。這一特性對于高功率密度的碳化硅MOSFET模塊尤為重要，能夠有效提高其在高功率工作狀態(tài)下的穩(wěn)定性和壽命。

高頻特性:碳化硅的電子飽和漂移速率約是硅基材料的2倍，大幅提升了器件的開關速度，顯著提高電力轉換系統(tǒng)的效率和功率密度。這使得碳化硅MOSFET模塊在高頻應用中表現(xiàn)出色，如在通信電源、數(shù)據中心等領域。 商甲半導體作為MOSFET專業(yè)供應商，應用場景多元，提供量身定制服務。上海500至1200V FRDMOSFET選型參數(shù)

TO-220與TO-220F

TO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時，由于成本因素，TO-220的價格也相對較高。這兩種封裝的產品都適用于中壓大電流場合，其電流范圍在120A以下，同時也可用于高壓大電流場合，但電流需控制在20A以內。

TO-251封裝

TO-251封裝的產品旨在降低生產成本并減小產品尺寸，特別適用于中壓大電流環(huán)境，電流范圍控制在60A以下，同時也可用于高壓環(huán)境，但需確保電流在7N以下。 安徽電池管理系統(tǒng)MOSFET選型參數(shù)無論是車載充電系統(tǒng)還是充電樁，都離不開商甲半導體 MOSFET。

SOT（Small Out-Line Transistor）封裝，即“小外形晶體管封裝”，是一種貼片型小功率晶體管封裝方式。相較于傳統(tǒng)的TO封裝，其體積更為緊湊，特別適用于小功率MOSFET的封裝需求。

SOP（SmallOut-LinePackage）封裝同樣是一種小外形封裝方式。它以其緊湊的尺寸和便捷的貼片特性，在電子領域得到了廣泛的應用。與SOT封裝類似，SOP也特別適合用于小功率MOSFET的封裝。

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文釋義為“小外形封裝”它屬于表面貼裝型封裝技術，其引腳設計呈海鷗翼狀（L字形），從封裝兩側引出。這種封裝方式可使用塑料或陶瓷兩種材料。此外，SOP也被稱為SOL和DFP。

場效應管(MOSFET)也叫場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力，而且具備輸入電阻高、噪聲小、功耗低、驅動功率小、開關速度高、無二次擊穿、**工作區(qū)寬等特點，MOSFET在組合邏輯電路、放大器、電源管理、測量儀器等領域應用***。MOSFET按導電溝道可分為 P 溝道和 N 溝道，同時又有耗盡型和增強型之分，目前市場主要應用 N 溝道增強型。

MOSFET經歷了3次器件結構上的技術革新：溝槽型、超級結、屏蔽柵。每一次器件結構的進化，在某些單項技術指標上產品性能得到質的飛躍，大幅拓寬產品的應用領域。

（1）平面型功率MOSFET：誕生于1970s，具備易于驅動，工作效率高的優(yōu)點，但芯片面積相對較大，損耗較高。（2）溝槽型功率MOSFET：誕生于1980s，易于驅動，工作效率高，熱穩(wěn)定性好，損耗低，但耐壓低。

（3）超結功率MOSFET：誕生于1990s，易于驅動，頻率超高、損耗極低，***一代功率器件。

（4）屏蔽柵功率MOSFET：誕生于2000s，打破了硅材料極限，大幅降低了器件的導通電阻和開關損耗。 MOSFET結構上的多樣性，為工程師們在電路設計時提供了豐富的選擇空間。

便攜式儲能電源，簡稱“戶外電源”，是一種能采用內置高密度鋰離子電池來提供穩(wěn)定交、直流的電源系統(tǒng)，有大容量、大功率、**便攜的特點。

AC-DC充電部分，將民用交流電轉換為直流電壓給儲能電池充電，和PD開關電源原理類似，普遍采用快充方案。BMS鋰電池保護部分，儲能電源的電池為鋰電池，一般用多節(jié)三元鋰或者磷酸鐵鋰并聯(lián)加串聯(lián)的連接方式，電池電壓可以為12V、24V、36V、48V等多種選擇，通常會用到30-100V的Trench&SGTMOSFET進行充放電保護。DC-DC升降壓部分，這部分是將電池直流電轉換成5V、9V、12V、15V、20V等電壓滿足Typ-C、USB、車充、DC輸出等多種連接口方式的輸出，通常會用到30-100VSGTMOSFET。DC-AC逆變部分，是將電池直流電壓升壓逆變?yōu)槊裼媒涣麟?，滿足常用家用電器的用電需求。無錫商甲半導體設計團隊憑借技術優(yōu)勢，根據每個模塊的特點，在各功能模塊上都設計了相匹配的MOSFET可供選型，比如BMS應用更注重MOSFET的過大電流能力和抗短路能力；DC-DC升降壓應用更注重MOSFET的高頻開關特性以及續(xù)流特性；逆變高壓MOSFET則不僅要低內阻，低柵電荷，還要求較好的EMI兼容性。

商甲半導體提供電池管理系統(tǒng)應用MOSFET選型產品。上海光伏逆變MOSFET選型參數(shù)

商甲半導體產品矩陣完整，技術指標對標國際巨頭，疊加政策支持與市場需求驅動，具備的國產化潛力。上海500至1200V FRDMOSFET選型參數(shù)

General Description

The JP4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as ±4.5V.This device is suitable for use as a wide variety of applications.

Features

●Low Gate Charge

●High Power and current handing capability

●Lead free product is acquired

Application

●Battery Protection

●Power Management

●Load Switch

SJP4606采用先進的溝槽技術，提供良好的RD(ON)值、低極電荷，并且能夠以低至士4.5V的柵極電壓進行操作。該器件適用于各種應用場合。

特性

●低柵極電荷

●高功率和電流處理能力

●獲得無鉛產品應用·電池保護

●電源管理

●負載開關 上海500至1200V FRDMOSFET選型參數(shù)

無錫商甲半導體有限公司成立于2023年8月3日，注冊地位于無錫經濟開發(fā)區(qū)太湖灣信息技術產業(yè)園1號樓908室。公司專注于功率半導體器件的研發(fā)設計與銷售，采用Fabless模式開發(fā)Trench MOSFET、IGBT等產品，截至2023年12月，公司已設立深圳分公司拓展華南市場 ，并獲評2024年度科技型中小企業(yè)。

無錫商甲半導體有限公司利用技術優(yōu)勢，以國內***技術代Trench/SGT產品作為***代產品；產品在FOM性能方面占據***優(yōu)勢，結合先進封裝獲得的更高電流密度；打造全系列N/P溝道車規(guī)級MOSFET，為日益增長的汽車需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封裝；未來兩年內做全硅基產品線并拓展至寬禁帶領域；